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BSH205G2VL

Name: Nexperia BSH205G2VL
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2VL
Price: 0.39 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BSH205G2VL

Herst.- Nr.:

BSH205G2VL

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A

Datenblatt:

BSH205G2VL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.397	CHF 0.40
	CHF 0.284	CHF 2.84
	CHF 0.18	CHF 9.00
	CHF 0.16	CHF 16.00
	CHF 0.112	CHF 112.00
	CHF 0.087	CHF 217.50
	CHF 0.078	CHF 390.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.078	CHF 780.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	6.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934068496235
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

BSH205G2VL Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BSH205G2 20V p-Kanal-Trench-MOSFET

Der NXP p-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Verbesserungsmodus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Er verwendet die Trench-MOSFET-Technologie und bietet eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber und Schaltkreisanwendungen.
Weitere Informationen

SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte

Das oberflächenmontierbare SOT23-Gehäuse von Nexperia Produkte befinden sich in einem oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen, 1,9 mm Raster, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm. Dieses Hauptgehäuse für Halbleiter wurde 1969 eingeführt und entwickelte sich schnell zu einem Industriestandard. Das SOT23-Gehäuse enthält eine breite Palette von Dioden, bipolaren Transistoren, MOSFETs und ESD-Schutzvorrichtungen aus dem Nexperia-Portfolio. Das SOT23-Gehäuse ist seit 50 Jahren eine Konstante und hat mehrere Nachfolger hervorgebracht, z. B. das SOT223 und das SOT323.