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BSH205G2R

Name: Nexperia BSH205G2R
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2R
Price: 0.31 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BSH205G2R

Herst.- Nr.:

BSH205G2R

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A

Datenblatt:

BSH205G2R Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.316	CHF 0.32
	CHF 0.196	CHF 1.96
	CHF 0.18	CHF 9.00
	CHF 0.124	CHF 12.40
	CHF 0.092	CHF 46.00
	CHF 0.082	CHF 82.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.068	CHF 204.00
	CHF 0.061	CHF 366.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	450 mV
Qg - Gate-Ladung:	6.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel Trench MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Artikel # Aliases:	934068496215
Gewicht pro Stück:	8 mg

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