BFU590QX

NXP Semiconductors
771-BFU590QX
BFU590QX

Herst.:

Beschreibung:
HF-Bipolartransistoren NPN wideband silicon RF transistor

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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NXP
Produktkategorie: HF-Bipolartransistoren
RoHS:  
BFU590Q
Bipolar Wideband
Si
NPN
8 GHz
60
12 V
2 V
200 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: NXP Semiconductors
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC): 300 mA
Ausgangsleistung: 22 dBm
Pd - Verlustleistung: 2 W
Produkt-Typ: RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: 934067977115
Gewicht pro Stück: 40.337 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

BFU5x NPN Breitband-Silizium HF-Transistoren

NXP Semiconductor BFU5x NPN-Breitband Silizium-HF-Transistoren sind AEC-Q101 qualifiziert, weisen geringes Rauschen auf, hohe HF-Aufschlüsselung und sind geeignet für Kleinsignaltransistoren von mittleren Leistungsanwendungen bis zu 2GHz. Mit außergewöhnlicher Leistung erzeugen BFU5x HF-Transistoren maximale Verstärkung von 20 dB und eine Rauschzahl von 0,7 dB bei 900 MHz. Diese Geräte schaffen einen besseren Signalempfang bei niedriger bis mittlerer Leistung und ermöglichen den robusteren Einsatz von HF-Empfängern in lauten Umgebungen. Bei der Verwendung der (geräuscharmen) Verstärker oder Oszillatoren unterstützen BFU5x HF-Transistoren hohe Versorgungsspannungen und hohe Durchschlagsspannungen. Dies macht diese Geräte für Automobil-, Kommunikations- und industrielle Anwendungen gut geeignet. Die Produktfamilie ist in zahlreichen Industriestandard-Gehäusen, einschließlich SOT323, SOT23 und SOT143 erhältlich.
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