APS6404L-3SQN-ZR

AP Memory
878-APS6404L-3SQN-ZR
APS6404L-3SQN-ZR

Herst.:

Beschreibung:
DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR

Lebenszyklus:
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AP Memory Technology
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
64 Mbit
4 bit / 1 bit
133 MHz
USON-8
8 M x 8
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IoT RAM
Reel
Cut Tape
Marke: AP Memory
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Memory & Data Storage
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Quad SPI (QSPI) PSRAM SDRs im USON8-Gehäuse

AP Memory Quad SPI (QSPI) PSRAM SDRs in einem USON8-Gehäuse bieten Internet of Things (IoT) RAM mit einer Dichte von 16 M bis 64 M und einer Organisation von 2 M x8 oder 8 M x8. Die PSRAM-SDRs werden im USON8-Gehäuse angeboten, was im Vergleich zum SOP8 eine kompakte LÖSUNG darstellt, aber die Einfachheit der PCB beibehält. Die Quad SPI Pseudostatische Direktzugriffsspeicher (PSRAM) SDRs bieten eine maximale Taktfrequenz von 84 MHz bis 144 MHz, je nach Bauelement. Darüber hinaus unterstützen die Bauteile Betriebsspannungen von 1,8 V und 3 V mit einem industriellen Temperaturbereich von -40°C bis 85°C. AP Memory Quad SPI PSRAM SDRs im USON8-Gehäuse eignen sich hervorragend für die Speicherauswahl in SoC-Applikationen, die eine geringe Pinzahl und einen erweiterten Speicher mit extrem geringer Leistung erfordern.