AFGH4L25T120RWD

Name: onsemi AFGH4L25T120RWD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGH4L25T120RWD
Price: 7.66 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-AFGH4L25T120RWD

Herst.- Nr.:

AFGH4L25T120RWD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

AFGH4L25T120RWD Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.37 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Pd - Verlustleistung:	416 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGH4L25T120RWD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	25 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

AFGH4L25T120RWD Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFGHxL25T n-Einkanal-1.200-V-25-A-IGBTs

Die isolierten n-Einkanal-1.200-V-25-A-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) AFGHxL25T von onsemi zeichnen sich durch eine robuste und kostengünstige Field-Stop-VII-Trench-Bauweise aus. Der AFGHxL25T von onsemi bietet eine hervorragende Leistung in anspruchsvollen Schaltapplikationen. Die niedrige Durchlassspannung und minimale Schaltverluste bieten eine optimale Leistung für hart- und weichschaltende Topologien in Fahrzeuganwendungen.