1ED3461MU12MXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED3461MU12MXUMA
1ED3461MU12MXUMA1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber ISOLATED DRIVER

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
6 A
3 V
25 V
15 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
Enhanced X3 analog
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Handelsname: EiceDRIVER
Artikel # Aliases: 1ED3461MU12M SP005350851
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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ X3 Enhanced Analog-Produktfamilie

Die Infineon Technologies EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog-Produktfamilie bietet eine Widerstands-Konfigurierbarkeit für DESAT (einstellbare Filterzeit) und Sanftabschaltung (einstellbarer Strom) über externe Widerstände (ADJA- und ADJB-Pin). Die 1ED34xx isolierten Einkanal-Treiber von Infineon verfügen über einen Ausgangsstrom von bis zu 9 A und eine maximale Ausgangsversorgungsspannung von 40 V in einem platzsparenden DSO-16 Fine-Pitch-Wide-Body-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 8 mm. Die Enhanced X3 Analog-Produktfamilie ist nach UL 1577 als VIso = 5,7 kVRMS für 1 Minute und nach VDE 0884-11 (verstärkte Isolierung) VIORM = 1.767 V zugelassen.

EiceDRIVER™ Verbesserte isolierte Gate-Treiber-ICs

Die EiceDRIVER™ verbesserten isolierten Gate-Treiber-ICs von Infineon Technologies bieten Schutzfunktionen, wie z. B. DESAT, Miller-Klemme, sanftes Ausschalten für MOSFETs, IGBTs und SiC-MOSFETs. Diese isolierten Treiber basieren auf unserer Transformator-Technologie (CT) ohne Core und ermöglichen eine erstklassige Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) von 300 kV/μs. Die Miller-Klemme und die genaue Kurzschluss-Sicherung (DESAT) ermöglichen eine überlegene Applikationssicherheit, indem ein parasitäres Einschalten und eine Kurzschluss-Sicherung bei der Ansteuerung von CoolSiC™-SiC-MOSFETs und TRENCHSTOP™-IGBT7 umgangen werden. Die isolierten EiceDRIVER™ Treiber bieten Antriebsfunktionen bis zu 9 A, wodurch Booster-Lösungen überflüssig werden. Diese Einkanal- und Zweikanal-gate-Treiber-ICs sind als analoge X3-Produktfamilie (1ED34xx) und gate-Treiber-ICs der X3-Produktfamilie verfügbar. Die 1ED34xx und 1ED38xx gate-Treiber-ICs bieten einen Ausgangsstrom von 9 A und einemaximale Ausgangsspannung von 40 V in einem platzsparenden breiten DS0-16-Gehäuse mit feinem Rastermaß und einer Kriechstrecke von 8 mm. Diese ICs verfügen über eine Kurzschluss-Klemmung und eine aktive Abschaltung und bieten die höchste Isolationsfähigkeit für die 1500 V DC-Solarwechselrichter-Applikation.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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Isolierte Gate-Treiber

Infineon Isolierte Gate-Treiber verwenden eine magnetisch gekoppelte kernlose Transformator-Technologie (CT) zur Übertragung von Signalen über die galvanische Trennung. Diese Treiber bieten funktionale grundlegende, verstärkte isolierte, UL 1577- und VDE 0884-zertifizierte Produkte. Die Isolierung ermöglicht sehr große Spannungsschwankungen (z.B. ±1.200 V). Diese isolierten Treiber enthalten die wichtigsten Merkmale und Parameter für MOSFET-, IGBT-, IGBT-Module, SiC-MOSFET- und GaN-HEMT-Antrieb.