PN2222 Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Toshiba PN2222BU
Toshiba Bipolartransistoren - BJT N/A
Si NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Bipolartransistoren - BJT NPN Transistor General Purpose
Datenblatt
Nicht verfügbar
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 30 V 60 V 5 V 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Bipolartransistoren - BJT TO-92
Datenblatt
Nicht verfügbar
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Bipolartransistoren - BJT NPN General Purpose Transistor
Datenblatt
Nicht verfügbar

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Bulk
onsemi / Fairchild Bipolartransistoren - BJT TO-92
Datenblatt
Nicht verfügbar
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222
onsemi / Fairchild Bipolartransistoren - BJT TO-92
Datenblatt
Nicht verfügbar
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 1 A 40 V 75 V 6 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Micro Commercial Components (MCC) Bipolartransistoren - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6Vebo 600mA 625mW
Datenblatt
11 063Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 600 mA 40 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C PN2222 Ammo Pack
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 800mA 625mW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 70 V 75 V 6 V 1 V 625 mW 300 MHz - 65 C + 150 C PN2222 Ammo Pack