18 bit Halbleiter

Arten von Halbleitern

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Texas Instruments FIFO 512 x 18 Synchronous FIFO Memory Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 160
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Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 160
Mult.: 160

Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 270
Mult.: 90

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 50
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Nein
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 50
Mult.: 1
Nein
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA Nicht auf Lager
Min.: 104
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ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 104
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ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA Nicht auf Lager
Min.: 104
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ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 104
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ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 104
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ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA Nicht auf Lager
Min.: 104
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp Nicht auf Lager
Min.: 119
Mult.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp Nicht auf Lager
Min.: 119
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 119
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ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 119
Mult.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 119
Mult.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp Nicht auf Lager
Min.: 119
Mult.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp Nicht auf Lager
Min.: 119
Mult.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 119
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