Analog Devices Inc. ADRF5519 20-W-Empfänger-Frontend

Das Analog Devices ADRF5519 20-W-Empfänger-Frontend ist ein integriertes Zweikanal-HF-Frontend-Multichipmodul, das für TDD-Applikationen (Time-Division Duplexing) im Frequenzbereich von 2,3 bis 2,8 GHz entwickelt wurde. Das ADRF5519 ist in zwei Kanälen mit einem kaskadierenden rauscharmen Zweiphasen-Verstärker (LNA) und einem SPDT-Hochleistungs-Siliziumschalter (Single-Pole-Double-Throw, SPDT) konfiguriert.

Im hohen Gain-Modus bieten der kaskadierte Zweiphasen-LNA und der Schalter einen niedrigen Rauschfaktor (NF) von 1,0 dB und eine hohe Gain von 35 dB bei 2,6 GHz mit einem Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (OIP3) von 32 dBm (typisch). Im niedrigen Gain-Modus befindet sich eine Phase des Zweiphasen-LNA im Bypass und bietet eine Gain von 14 dB bei einem niedrigeren Strom von 36 mA. Im Abschaltmodus sind die LNAs abgeschaltet und das Bauteil nimmt 12 A auf.

Im Sendebetrieb sind die HF-Eingänge mit einem Anschluss-Pin (ANT-CHA oder ANT-CHB verbunden mit TERM-CHA bzw. TERM-CHB) verbunden. Der Schalter bietet eine geringe Einfügungsdämpfung von 0,5 dB und verarbeitet eine durchschnittliche langfristige Evolutionsleistung (LTE) (9 dB Spitzen-zu-Durchschnittsverhältnis (PAR)) von 43 dBm für einen Betrieb über die gesamte Lebensdauer. Der ADRF5519 von Analog Devices ist in einem RoHS-konformen, kompakten 40-Pin-LFCSP-Gehäuse von 6 mm × 6 mm verfügbar.

Merkmale

  • Integriertes Zweikanal-HF-Frontend
    • Zweiphasen-LNA und SPDT-Hochleistungs-Siliziumschalter
    • On-Chip-Vorspannung und -Anpassung
    • Einzelversorgungsbetrieb
  • Hohe Belastbarkeit bei TCASE = 105 °C
    • LTE-Durchschnittsleistung (9 dB PAR): gesamte Lebensdauer 43 dBm
  • Verstärkung
    • Hoher Gain-Modus: 35 dB bei 2,6 GHz (typisch)
    • Typ. 14 dB bei 2,6 GHz im niedrigen Gain-Modus
  • Niedriger Rauschfaktor
    • Hoher Gain-Modus: 1,0 dB bei 2,6 GHz (typisch)
    • Typ. 1,0 dB bei 2,6 GHz im niedrigen Gain-Modus
  • Hohe Isolierung
    • RXOUT-CHA und RXOUT-CHB (45 dB typ.)
    • TERM-CHA und TERM-CHB (60 dB typ.)
  • Geringe Einfügungsdämpfung: 0,5 dB bei 2,6 GHz
  • 32 dBm typ. hoher OIP3
  • Abschaltmodus und niedriger Gain-Modus
  • Niedriger Versorgungsstrom
    • Hoher Gain-Modus: 110 mA bei 5 V (typisch)
    • Niedriger Gain-Modus: 36 mA bei 5 V (typisch)
    • Abschaltmodus: 12 mA bei 5 V (typisch)
  • Positive Logiksteuerung
  • 40-Pin-LFCSP-Gehäuse von 6 × 6 mm
  • Pin-kompatibel mit den Versionen ADRF5545A und ADRF5549 10 W

Applikationen

  • Drahtlose Infrastruktur
  • TDD-Massiv-Mehrfacheingang und -Mehrfachausgang und aktive Antennensysteme
  • TDD-basierte Kommunikationssysteme

Funktionales Blockdiagramm

Blockdiagramm - Analog Devices Inc. ADRF5519 20-W-Empfänger-Frontend
Veröffentlichungsdatum: 2021-06-18 | Aktualisiert: 2022-03-11