Analog Devices Inc. ADRF5132 Hochleistungs-SPDT-Schalter
Analog Devices ADRF5132 einpolige, doppelstufige (SPDT) Schalter mit 0,7 bis 5 GHz und 20 W Spitze sind ideal für Hochleistungs- und Mobilfunk-Infrastruktur-Applikationen. Die Schalter bieten 35 dBm LTE-Hochleistungverarbeitung, eine niedrige Einfügungsdämpfung von 0,6 dB bei 2,7 GHz, einen typischen Eingangsschnittpunkt der dritten Ordnung von 65 dBm und eine 0,1dB-Kompression (P0,1 db) von 42,5 dBm. Die ADRF5132 On-Chip-Schaltung arbeitet bei einer einzigen positiven Versorgungsspannung von 5 V und einem typischen Versorgungsstrom von 1,1 mA, was die Schalter zu einer hervorragende Alternative für Pin-Dioden-basierte Schalter macht.
Merkmale
- Reflektierendes 50Ω-Design
- Niedrige Einfügungsdämpfung: 0,6 dB typ. bei 2,7 GHz
- Hohe Belastbarkeit bei TCASE = 105 °C
- Langfristiger Betrieb (>10 Jahre)
- Spitzenleistung: 43 dBm
- CW-Leistung: 38 dBm
- LTE-Leistungsdurchschnitt (8 dB PAR): 35 dBm
- Langfristiger Betrieb (>10 Jahre)
- Einzelereignis (
- LTE-Leistungsdurchschnitt (8 dB PAR): 41 dBm
- Hohe Linearität
- P0,1dB: 42,5 dBm typ.
- IP3: 65 dBm typ. bei 2 GHz bis 4 GHz
- ESD-Werte
- HBM: 2 kV, Klasse 2
- CDM: 1,25 kV
- Einzige positive Versorgung: 5 V
- Positive Steuerung, TTL/CMOS-kompatibel
- LFCSP-Gehäuse: 3 mm × 3 mm, 16-polig
Applikationen
- Zellulare 4-G-Infrastruktur
- Drahtlose Infrastruktur
- Militär- und hochzuverlässige Applikationen
- Test-Ausstattung
- Pin-Diodenersatz
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Veröffentlichungsdatum: 2018-07-24
| Aktualisiert: 2025-03-10