IPU95R3K7P7AKMA1

Infineon Technologies
726-IPU95R3K7P7AKMA1
IPU95R3K7P7AKMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs LOW POWER_NEW

Lebenszyklus:
NRND:
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
950 V
2 A
3.7 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 40 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 23 ns
Serie: P7
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7ns
Artikel # Aliases: IPU95R3K7P7 SP001792320
Gewicht pro Stück: 387.110 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs

CoolMOS™ -Leistungstransistoren von Infineon bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs. In Kombination mit der Generation CoolMOS 7 setzt Infineon weiterhin Preis-, Leistungs- und Qualitätsmaßstäbe.

CoolMOS™ P7-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7-MOSFETs bieten ein erstklassiges Preis-/Leistungsverhältnis mit benutzerfreundlicher Handhabung zur Bewältigung von Herausforderungen in verschiedenen Applikationen. Die CoolMOS 700V- und 800V-P7-Leistungs-MOSFETs wurden für Flyback-basierte, stromsparende SNT-Applikationen, einschließlich Adapter und Ladegerät, Beleuchtung, Audio-SNT, AUX und Industrieleistung ausgelegt. Die 600 V CoolMOS P7-Leistungs-MOSFETs zielen nicht nur auf stromsparende, sondern auch auf Hochleistungs-SNT-Applikationen wie z. B. Solar-Wechselrichter, Server und ferngesteuerte EV-Ladestationen ab. Die P7 sind für harte und weiche Schalttopologien vollständig optimiert.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

Wohnhaus-Energiespeichersysteme (ESS)

Infineon Wohnhaus-Energiespeichersysteme (ESS) bieten eine große Auswahl von Produkten zum Erstellen und Verwalten von widerstandsfähigen Infrastrukturen zu optimalen Kosten. ESS bieten zwei hauptsächliche Einsatzbereiche Im ersten Einsatzbereich geht es um die Bereitstellung von solarbetriebenen Wohnhäusern (ESS für Wohnhäuser), die von Versorgungsunternehmen unabhängig sind. In einem größeren Maßstab handelt es sich beim zweiten Einsatzbereich darum, den erzeugten Strom in Zeiten mit hoher Nachfrage zu ergänzen (ESS für Großanlagen).

USB-C-Ladegeräte und -Adapter

Infineon Technologies bietet maßgeschneiderte Halbleiter, welche die Prioritäten der Kunden berücksichtigen — Preis/Leistung vs. (extrem) hohe Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst die gesamte USB-C™ -Quellen-Produktkette, die von HV-/LV-Leistungsschaltern bis zu PWM-Controllern, USB-C-Controllern für die Stromversorgung sowie ESD-Schutzbauteilen reicht.