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FGD3N60UNDF

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FGD3N60UNDF

Herst.- Nr.:

FGD3N60UNDF

Herst.:

onsemi

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	6 A
Pd - Verlustleistung:	60 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	FGD3N60UNDF
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	3 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	10 uA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	260.370 mg