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UG4SC075005L8S

Name: onsemi UG4SC075005L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075005L8S
Price: 42.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-UG4SC075005L8S

Herst.- Nr.:

UG4SC075005L8S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs UG4SC075005L8S

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

UG4SC075005L8S Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 35.88	CHF 358.80
	CHF 33.68	CHF 3 368.00
	CHF 33.67	CHF 16 835.00
	CHF 33.66	CHF 33 660.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 31.19	CHF 62 380.00

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MO-229-8
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 30 V to 30 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	6 uA
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Pd - Verlustleistung:	1.153 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	UG4S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

UG4SC075005L8S Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

Die onsemi Combo-FETs sind revolutionäre Bauteile, die einen SiC-JFET von onsemi mit niedrigem R_DS(on) und einen Si-MOSFET in einem einzigen, kompakten Gehäuse kombinieren. Diese Combo-FETs sind ausdrücklich für Niederfrequenz-Schutzapplikationen, wie z. B. Solid-State-Leistungsschalter, Batterietrennschalter und Überspannungsschutz ausgelegt und ermöglichen Benutzern den Zugriff auf das JFET-Gate zur Optimierung des Designs. Die Integration des Si-MOSFETs in diese Combo-FETs von onsemi gewährleistet eine normalerweise ausgeschaltete Lösung, die eine Größenreduzierung von über 25 % im Vergleich zu diskreten Implementierungen ermöglicht.

UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩ

onsemi UG4SC Combo-FETs von 750 V, 8,4 mΩ kombinieren einen 750-V-SiC-JFET und einen Si-MOSFET mit niedriger Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse. Dieses Design ermöglicht einen normalerweise ausgeschalteten Schalter und profitiert vom extrem niedrigen On-Widerstand [R_DS(on)] und der Robustheit eines normalerweise auf SiC-JFETs und der Robustheit eines normalerweise auf SiC-JFETs. Die UG4SC Combo-FET-Baureihe von onsemi eignet sich hervorragend für die Hochenergie-Schaltung im Schaltungsschutz. Für die Schaltmodus-Leistungsumwandlung bieten die Bauteile einen separaten Gate-Zugang zum JFET und MOSFET, wodurch die Drehzahlregelung verbessert und die Parallelschaltung mehrerer Bauteile vereinfacht wird.