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UF4SC120023B7SSR

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-UF4SC120023B7SSR

Herst.- Nr.:

UF4SC120023B7SSR

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs UF4SC120023B7S

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

UF4SC120023B7SSR Datenblatt

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	72 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	37.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	385 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Produkt:	SiC FET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	UF4SC
Verpackung ab Werk:	200
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	64 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns

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Datenblatt

UF4SC120023B7SSR Datenblatt

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Nicht lieferbar
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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