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UF4C120053B7SSR

Name: onsemi UF4C120053B7SSR
Brand: onsemi
SKU: 772-UF4C120053B7SSR
Price: 12.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-UF4C120053B7SSR

Herst.- Nr.:

UF4C120053B7SSR

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs UF4C120053B7S

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

UF4C120053B7SSR Datenblatt

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	53 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	37.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Produkt:	SiC FET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	UF4C
Verpackung ab Werk:	200
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	57 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns

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Datenblatt

UF4C120053B7SSR Datenblatt

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs

Die SiC-FETs von Onsemi UF4C/SC 1.200 V Gen 4 sind eine Hochleistungsserie, die die branchenweit besten Leistungszahlen (Figures of Merit) liefert. Die UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC FETs sind ideal für Mainstream 800 V Bus-Architekturen in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, industrielle Batterieladegeräte, industrielle Stromversorgungen, erneuerbare Energien, Energiespeicherung, Schweißmaschinen, USV und Induktionsheizungsanwendungen. Die Baureihe der 4. Generation ist in Optionen von 23 mΩ bis 70 mΩ erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration, bei der ein leistungsstarker SiC-JFET mit einem kaskodenoptimierten Si-MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein SiC-Bauteil mit Standard-Gate-Drive zu erstellen. Diese Eigenschaft ermöglicht ein flexibles Design ohne Änderung der Gate-Treiberspannung, so dass Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs oder Si Super-Junction-Bauelemente problemlos ersetzt werden können.