Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

NXH030P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH030P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH030P12M3F1PTG
Price: 62.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NXH030P12M3F1PTG

Herst.- Nr.:

NXH030P120M3F1PTG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NXH030P120M3F1PTG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 25

Lagerbestand:: 25 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 19 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 62.09	CHF 62.09
	CHF 51.65	CHF 516.50
	CHF 47.03	CHF 5 267.36

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	PIM-18
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	42 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	38.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	100 W
Serie:	NXH030P120M3F1PTG
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Half-Bridge
Abfallzeit:	9.4 ns
Höhe:	12.35 mm
Länge:	63.3 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	6.6 ns
Verpackung ab Werk:	28
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC
Typ:	Half Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit:	84.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19.6 ns
Breite:	34.1 mm

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NXH030P120M3F1PTG Datenblatt

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-Module

Die NXH0xxP120M3F1 Siliziumkarbid(SiC)-Module von onsemi enthalten 8 mΩ/ 1200 V, 10 mΩ/ 1200 V, 15 mΩ/ 1200 V und 30 mΩ/ 1200 V M3S SiC-MOSFETs, die auf der Halbbrückentopologie und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse basieren. Diese Module verfügen über bereits aufgetragenes Wärme-Ableitungsmaterial (TIM) und ohne bereits aufgetragenes TIM. Die NXH0xxP120M3F1 Module sind mit Einpressstifte ausgelegt und sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform. Diese Leistungsmodule werden in Solarwechselrichtern, Industrieleistung, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV) und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) verwendet.