Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

NXH020U90MNF2PTG

Name: onsemi NXH020U90MNF2PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020U90MNF2PTG
Price: 134.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NXH020U90MNF2PTG

Herst.- Nr.:

NXH020U90MNF2PTG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

Datenblatt:

NXH020U90MNF2PTG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NXH020U90MNF2PTG

Auf Lager: 49

Lagerbestand:: 49 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 134.17	CHF 134.17
	CHF 126.61	CHF 1 266.10

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	900 V
Id - Drain-Gleichstrom:	149 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	352 W
Serie:	NXH020U90MNF2
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual Common Source
Abfallzeit:	12.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	19.8 ns
Verpackung ab Werk:	20
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC
Typ:	SiC MOSFET Module
Regelabschaltverzögerungszeit:	110 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	43.2 ns
Vf - Durchlassspannung:	2.3 V
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NXH020U90MNF2PTG Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

NXH020U90MNF2 Siliziumkarbid(SiC)-Module

onsemi NXH020U90MNF2 Siliziumkarbid(SiC)-Module sind Vienna-SiC-Module mit 900-V-SiC-MOSFET-Schaltern von 2x 10 mOhm. Die Bauteile von onsemi verfügen auch über 1.200-V-SiC-Dioden von 2x 100 A und einen Thermistor. Das NXH020U90MNF2 ist in einem F2-Gehäuse untergebracht. Die SiC-MOSFET-Schalter verwenden die M2-Technologie und werden mit einem Gate-Drive von 15 V bis 18 V betrieben.