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NVMFS5C460NLAFT1G-YE

Name: onsemi NVMFS5C460NLAFT1G-YE
Brand: onsemi
SKU: 863-S5C460NLAFT1GYE
Price: 1.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-S5C460NLAFT1GYE

Herst.- Nr.:

NVMFS5C460NLAFT1G-YE

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFS5C460NLAFT1G-YE Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.431	CHF 43.10
	CHF 0.354	CHF 177.00
	CHF 0.305	CHF 305.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.28	CHF 420.00
	CHF 0.253	CHF 1 138.50
	CHF 0.242	CHF 2 178.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	78 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	50 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3.4 ns
Serie:	NVMFS5C460NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.2 ns

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Datenblatt

NVMFS5C460NLAFT1G-YE Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.