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NTK3134NT3G

Name: onsemi NTK3134NT3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTK3134NT3G
Price: 0.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTK3134NT3G

Herst.- Nr.:

NTK3134NT3G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTK3134NT3G Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 40000)
	CHF 0.038	CHF 1 520.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-723-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	890 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	450 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Abfallzeit:	7.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.8 ns
Serie:	NTK3134N
Verpackung ab Werk:	40000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.7 ns

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Datenblatt

NTK3134NT3G Datenblatt

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

NTK3134N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi mit ESD-Schutz sind robuste MOSFETs, die für hocheffiziente Schaltapplikationen optimiert sind. Die in einem kompakten 3-Pin-SOT-723-Gehäuse untergebrachten NTK3134N-Bauelemente von onsemi liefern einen niedrigen R_DS(on)von 0,20 Ω bei 4,5 V, wodurch Leitungsverluste minimiert und die thermische Leistung verbessert werden. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 20 V und einer stationären Dauersenkenstrom-Fähigkeit von 890 mA (maximal) sind die NTK3134N MOSFETs ideal für die Verwendung in portabler Elektronik, DC/DC-Wandlern und Lastschaltkreisen. Schnelle Schaltgeschwindigkeiten und niedrige Gate-Ladungen tragen zu einem reduzierten Stromverbrauch und einer verbesserten Gesamtsystemeffizienz bei, was diese MOSFETs zu einer zuverlässigen Wahl für platzbeschränkte, leistungsempfindliche Designs macht.