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NTHL065N65S3HF

Name: onsemi NTHL065N65S3HF
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL065N65S3HF
Price: 8.53 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTHL065N65S3HF

Herst.- Nr.:

NTHL065N65S3HF

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 46 A, 65 mohm, TO-247

Datenblatt:

NTHL065N65S3HF Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	46 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	98 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	337 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTHL065N65S3HF
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTHL065N65S3HF Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Wärmepumpen

Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung und nutzt die emissionsarme Elektrizität für zuverlässige Wärme. Während seine Hauptfunktion die Heizung ist, bieten innovative Rücklaufzyklusmodelle auch Kühlmöglichkeiten. Darüber hinaus bieten Wärmepumpen durch effiziente Rückgewinnung und Anhebung ihrer Temperatur ein enormes Energieeinsparpotenzial. Da Unternehmen sich auf eine kohlenstoffarme Zukunft konzentrieren, besteht eine wachsende Nachfrage nach effizienteren Leistungshalbleitern. Ein ausgewogenes Verhältnis von Kosten, Footprint und Wirkungsgrad ist dabei von entscheidender Bedeutung. Onsemi Intelligente Leistungsmodule (IPMs) stellen eine bemerkenswerte Lösung im Wärmepumpenmarkt dar und bieten ein kompaktes Design, eine hohe Leistungsdichte und erweiterte Steuerfunktionen.

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.