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NSVMUN5216T1G

Name: onsemi NSVMUN5216T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMUN5216T1G
Price: 0.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVMUN5216T1G

Herst.- Nr.:

NSVMUN5216T1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Digitaltransistoren NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NSVMUN5216T1G Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.046	CHF 23.00
	CHF 0.038	CHF 38.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.033	CHF 99.00
	CHF 0.028	CHF 168.00
	CHF 0.025	CHF 225.00
	CHF 0.021	CHF 504.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:
Konfiguration:	Single
Transistorpolung:	NPN
Regeleingangswiderstand:	4.7 kOhms
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70/SOT-323
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	160
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Pd - Verlustleistung:	310 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MUN5216
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kanalmodus:	Enhancement
Betriebstemperaturbereich:	- 55 C to + 150 C
Ausgangsspannung:	4.9 V
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSVMUN5216T1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Bipolare NPN-Digitaltransistoren

Die bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi sind monolithische Vorspannungswiderstandsnetzwerke, die als Ersatz für ein einzelnes Bauelement und sein externes Widerstandsvorspannungsnetzwerk ausgelegt sind. Diese Vorspannungswiderstands-Transistoren (BRTs) bestehen aus zwei Widerständen, einem Serienbasiswiderstand (22 k Ω) und einem Basis-Emitter-Widerstand (47 kΩ). Der BRT macht einzelne Bauelemente überflüssig und integriert sie in einem einzigen Bauelement. Dieser BRT ist nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig. Der BRT ist blei- und halogen-/BFR-frei und RoHs-konform. Zu den typischen Anwendungen gehören der Batterieverpolungsschutz, DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber und Hochgeschwindigkeitsschaltung.