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NST807CMTWFTBG

Name: onsemi NST807CMTWFTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NST807CMTWFTBG
Price: 0.43 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NST807CMTWFTBG

Herst.- Nr.:

NST807CMTWFTBG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

NST807CMTWFTBG Datenblatt

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	XDFNW-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	45 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	45 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	700 mV
Pd - Verlustleistung:	350 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	360 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NST807
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	500 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	250 at - 100 mA, - 1 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	600 at - 100 mA, - 1 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NST807CMTWFTBG Datenblatt

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

NST807 Universal-PNP-Transistoren

onsemi NST807 Universal-PNP-Transistoren sind für allgemeine Schalt- und Verstärkerapplikationen konzipiert. Der NST807 von onsemi bietet eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit und eignet sich daher für den Einsatz in Schaltungen mit geringem Stromverbrauch sowie in der Signalverarbeitung und in elektronischen Universal-Applikationen. Der Transistor verfügt über eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (V_CE) von 40 V und einen maximalen Kollektorstrom (I_C) von 3 A und ist damit vielseitig für eine Reihe von Designs einsetzbar. Mit seiner niedrigen Sättigungsspannung und schnellen Schaltgeschwindigkeiten wird der NST807 oft für Schaltungen mit hohem Wirkungsgrad gewählt. Darüber hinaus ermöglicht das kompakte DFN1010-3-Gehäuse platzsparende Designs, so dass der NST807 eine ausgezeichnete Wahl für Unterhaltungselektronik-, Fahrzeug- und Industrieapplikationen ist. Das Bauteil wurde für eine robuste Leistung mit einer klar definierten Kennlinie konzipiert, die Stabilität und Zuverlässigkeit unter verschiedenen Umgebungsbedingungen gewährleistet.