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NST807CMTWFTBG

Name: onsemi NST807CMTWFTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NST807CMTWFTBG
Price: 0.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NST807CMTWFTBG

Herst.- Nr.:

NST807CMTWFTBG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NST807CMTWFTBG Datenblatt

ECAD Model:

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Gehäuse:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.698 CHF	0.70 CHF
	0.484 CHF	4.84 CHF
	0.306 CHF	30.60 CHF
	0.19 CHF	95.00 CHF
	0.139 CHF	139.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.124 CHF	372.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	XDFNW-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	45 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	45 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	700 mV
Pd - Verlustleistung:	350 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	360 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NST807
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	500 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	250 at - 100 mA, - 1 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	600 at - 100 mA, - 1 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NST807CMTWFTBG Datenblatt

Konformitätscodes

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NST807 Universal-PNP-Transistoren

onsemi NST807 Universal-PNP-Transistoren sind für allgemeine Schalt- und Verstärkerapplikationen konzipiert. Der NST807 von onsemi bietet eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit und eignet sich daher für den Einsatz in Schaltungen mit geringem Stromverbrauch sowie in der Signalverarbeitung und in elektronischen Universal-Applikationen. Der Transistor verfügt über eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (V_CE) von 40 V und einen maximalen Kollektorstrom (I_C) von 3 A und ist damit vielseitig für eine Reihe von Designs einsetzbar. Mit seiner niedrigen Sättigungsspannung und schnellen Schaltgeschwindigkeiten wird der NST807 oft für Schaltungen mit hohem Wirkungsgrad gewählt. Darüber hinaus ermöglicht das kompakte DFN1010-3-Gehäuse platzsparende Designs, so dass der NST807 eine ausgezeichnete Wahl für Unterhaltungselektronik-, Fahrzeug- und Industrieapplikationen ist. Das Bauteil wurde für eine robuste Leistung mit einer klar definierten Kennlinie konzipiert, die Stabilität und Zuverlässigkeit unter verschiedenen Umgebungsbedingungen gewährleistet.