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MMBFJ110

Name: onsemi MMBFJ110
Brand: onsemi
SKU: 512-MMBFJ110
Price: 0.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-MMBFJ110

Herst.- Nr.:

MMBFJ110

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs N-CH FET/SSOT-23

Datenblatt:

MMBFJ110 Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.563 CHF	0.56 CHF
	0.347 CHF	3.47 CHF
	0.223 CHF	22.30 CHF
	0.17 CHF	85.00 CHF
	0.152 CHF	152.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.123 CHF	369.00 CHF
	0.122 CHF	732.00 CHF
	0.112 CHF	1 008.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SSOT-3
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	- 25 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 Ohms
Pd - Verlustleistung:	460 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MMBFJ110
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	40 mg

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Datenblatt

MMBFJ110 Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MMBFJ110 25V N-Channel JFET

onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET is designed for digital switching applications where very low on-resistance is mandatory. The MMBFJ110 N-Channel JFET has a drain-gate voltage of 25 volts and a drain-source on-resistance of 18Ω. The total dissipation for this device is 460 mW. The onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET comes in a compact SuperSOT-3 package to help save board space.