MBT3906DW1T1

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MBT3906DW1T1

Herst.- Nr.:

MBT3906DW1T1

Herst.:

onsemi

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Herst.:

onsemi

Herst.- Nr.:

MBT3906DW1T1G

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SS GP XSTR PNP 40V

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	200 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	40 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	400 mV
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	250 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MBT3906DW1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	- 200 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	60
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	28 mg