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FJD5555TM

Name: onsemi FJD5555TM
Brand: onsemi
SKU: 512-FJD5555TM
Price: 1.08 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FJD5555TM

Herst.- Nr.:

FJD5555TM

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT High Volt Fast Switching Trans

Datenblatt:

FJD5555TM Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.08 CHF	1.08 CHF
	0.656 CHF	6.56 CHF
	0.448 CHF	44.80 CHF
	0.349 CHF	174.50 CHF
	0.317 CHF	317.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.266 CHF	665.00 CHF
	0.258 CHF	1 290.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	5 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	400 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	1.05 kV
Emitter-Basisspannung VEBO:	14 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Pd - Verlustleistung:	1.34 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	FJD5555
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	260,370 mg

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Datenblatt

FJD5555TM Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

High Voltage Fast Switching Transistors

onsemi's high voltage fast switching transistors are bipolar junction transistors that provide ultra-fast switching speeds and low saturation voltage. The FJD5555 offers saturation voltage as low as 0.5V and the FJD5553 as low as 0.23V. The energy-efficient transistors feature a high breakdown voltage of 1050V and are packed in space-conserving 64mm2 DPAK packaging. The devices are ideal for electronic ballast, power supply, and industrial designs.