FGH75T65SQDTL4

onsemi
512-FGH75T65SQDTL4
FGH75T65SQDTL4

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
150 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
FGH75T65SQDTL4
Tube
Marke: onsemi
Kriechstrom Gate-Emitter: 400 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 6,289 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Tschechische Republik
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