FFSH10120A

onsemi
863-FFSH10120A
FFSH10120A

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 1200V 10A SIC SBD

Datenblatt:
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onsemi
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
10 A
1.2 kV
1.45 V
90 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH10120A
Tube
Marke: onsemi
Pd - Verlustleistung: 193 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: EliteSiC
Vr - Sperrspannung: 1.2 kV
Gewicht pro Stück: 5.321 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

FFSH SiC-Schottky-Dioden

onsemi FFSH Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) bieten einen verbesserten Systemwirkungsgrad und verfügen über eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Schottky-Dioden haben keinen Schaltverlust und verfügen über eine hohe Stoßstromleistung. Die Dioden nutzen Halbleiterwerkstoffe aus Siliziumkarbid für eine höhere Betriebsfrequenz. Sie steigern die Leistungsdichte und verringern Systemgröße und -kosten. Dadurch wird eine hohe Zuverlässigkeit und ein robuster Betrieb währende Stoßstrom- oder Überspannungsbedingungen gewährleistet.

1.200-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 1200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Zu den Vorteilen für das System zählen ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI sowie eine geringere Systemgröße und -kosten.

Breitbandlücken-SiC-Bauteile

Die Breitbandlücken-Siliziumkarbid-Bauteile von onsemi enthalten eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die Vorteile für das System sind ein verbesserter System-Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten. Das SiC-Portfolio von onsemi umfasst 650-V- und 1.200-V-Dioden, 650-V- und 1.200-V-IGBT- und SiC-Dioden-Power-Integrated-Module (PIMs), 1.200-V-MOSFETs und SiC-MOSFET-Treiber sowie AEC-Q100-qualifizierte Bauteile.

Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

onsemi Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. SiC-Schottky-Dioden verfügen über keinen Sperrverzögerungsstrom, eine temperaturunabhängige Schaltung und eine hervorragende thermische Leistung. Zu den Systemvorteilen zählen ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, geringe EMI und eine reduzierte Systemgröße und niedrigere Kosten. onsemi bietet Bauteile in 650 V und 1.200 V mit zahlreichen Strom- und Gehäuseoptionen, die sich bestens für Leistungssystemdesigns der nächsten Generation eignen.

Wärmepumpen

Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung und nutzt die emissionsarme Elektrizität für zuverlässige Wärme. Während seine Hauptfunktion die Heizung ist, bieten innovative Rücklaufzyklusmodelle auch Kühlmöglichkeiten. Darüber hinaus bieten Wärmepumpen durch effiziente Rückgewinnung und Anhebung ihrer Temperatur ein enormes Energieeinsparpotenzial. Da Unternehmen sich auf eine kohlenstoffarme Zukunft konzentrieren, besteht eine wachsende Nachfrage nach effizienteren Leistungshalbleitern. Ein ausgewogenes Verhältnis von Kosten, Footprint und Wirkungsgrad ist dabei von entscheidender Bedeutung. Onsemi Intelligente Leistungsmodule (IPMs) stellen eine bemerkenswerte Lösung im Wärmepumpenmarkt dar und bieten ein kompaktes Design, eine hohe Leistungsdichte und erweiterte Steuerfunktionen.

D1 EliteSiC-Dioden

Die   D1 EliteSiC-Dioden von onsemi sind eine leistungsstarke und vielseitige Lösung, die für moderne Leistungselektronik-Applikationen ausgelegt ist. Der onsemi   D1 verfügt über Spannungswerte von 650 V, 1200 V und 1700 V. Diese Dioden bieten die Flexibilität, um verschiedene Design-Anforderungen zu erfüllen. Mit verschiedenen Gehäusen, beispielsweise D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 und TO-247-3, bieten die D1 EliteSiC-Dioden dem Designer Optionen zur Optimierung der Boardfläche und der thermischen Leistung.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.

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