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FDMS86101DC

Name: onsemi FDMS86101DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86101DC
Price: 4.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMS86101DC

Herst.- Nr.:

FDMS86101DC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDMS86101DC Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 4.26	CHF 4.26
	CHF 2.84	CHF 28.40
	CHF 2.03	CHF 203.00
	CHF 1.94	CHF 970.00
	CHF 1.75	CHF 1 750.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.66	CHF 4 980.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DualCool-56-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	14.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	44 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDMS86101DC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	90 mg

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Datenblatt

FDMS86101DC Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Dual Cool™ MOSFETs

onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.

N-Channel Dual Cool PowerTrench® MOSFET

The FDMS86101DC and FMDS83500DC N-Channel Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest R_DS(ON) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. Typical applications for these items include primary DC-DC MOSFET, secondary synchronous rectifier, load switch, telecom secondary side rectification and high end server/workstation Vcore low side.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi / Fairchild PowerTrench^® MOSFETs bieten ein umfangreiches Portfolio von MOSFETs in der Branche. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und p-Kanal-Versionen, die für eine niedrige R_DS(ON)-Schaltleistung und Unempfindlichkeit optimiert sind. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Primärschalter, mobile Rechner, DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichter.

Lösungen für die Energieinfrastruktur

Die Energieinfrastrukturlösungen von onsemi adressieren die Landschaft für Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, die sich schnell entwickelt, um die von der Regierungspolitik gesetzten Ziele zu erfüllen und den Verbrauch zu erhöhen. Erhöhte Effizienzziele, Reduzierung der CO2-Emissionen und der Fokus auf erneuerbare und saubere Energie sind Schlüsselfaktoren für diese Entwicklung der Energieinfrastruktur. onsemi bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Lösungen für die anspruchsvollen Anforderungen von Hochleistungsapplikationen, einschließlich Siliziumkarbid-Dioden (SiC), intelligenten Leistungsmodulen und Strommessverstärkern.