Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

AFGY100T65SPD

Name: onsemi AFGY100T65SPD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGY100T65SPD
Price: 10.09 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-AFGY100T65SPD

Herst.- Nr.:

AFGY100T65SPD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE

Datenblatt:

AFGY100T65SPD Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi AFGY100T65SPD

Auf Lager: 1 771

Lagerbestand:: 1 771 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 17 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 10.09	CHF 10.09
	CHF 6.09	CHF 60.90
	CHF 5.17	CHF 620.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3LD
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	120 A
Pd - Verlustleistung:	660 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGY100T65SPD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

AFGY100T65SPD Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGY100/AFGY120T65SPD Field-Stop-Trench-IGBTs

onsemi AFGY100T65SPD und AFGY120T65SPD Field-Stop-Trench-IGBTs sind AEC-Q101-qualifiziert und verfügen über sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste. Diese Funktionen ermöglichen einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, eine robuste transiente Zuverlässigkeit und eine niedrige EMI.