Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

C3M0016120K

Name: Wolfspeed C3M0016120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0016120K
Price: 20.62 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-C3M0016120K

Herst.- Nr.:

C3M0016120K

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms

Datenblatt:

C3M0016120K Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 131

Lagerbestand:: 131

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 450

erwartet ab 20.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 14

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	20.62 CHF	20.62 CHF
	14.51 CHF	145.10 CHF
	14.50 CHF	1 740.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	115 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Qg - Gate-Ladung:	211 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	556 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	33 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	34 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

C3M0016120K Datenblatt

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

C3M0016120K Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET

Wolfspeed C3M0016120K Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET erleichtert C3M-MOSFET-Technologie in einem optimierten Gehäuse. Der C3M0016120K zeichnet sich durch hohe Sperrspannung bei geringem Einschaltwiderstand sowie durch schnelles Schalten bei geringen Kapazitäten aus. Das Bauelement bietet herausragende Vorteile, wie eine Reduzierung des Kühlbedarfs, der Schaltverluste und des Gate-Überschwingens. Darüber hinaus bietet der C3M0016120K eine erhöhte Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz.