Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

C2M0080120D

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-C2M0080120D

Herst.- Nr.:

C2M0080120D

Herst.:

Wolfspeed

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Versandmeldung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

Lagerbestand:: Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Herst.:

Wolfspeed

Herst.- Nr.:

C4D20120A

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	31.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	98 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	71 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	208 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.9 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	Power MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	34 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	23.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	6 g