BUJ103AX,127

WeEn Semiconductors
771-BUJ103AX,127
BUJ103AX,127

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR

Datenblatt:
ECAD Model:
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WeEn Semiconductors
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
SOT-186A-3
NPN
Single
4 A
400 V
700 V
250 mV
26 W
+ 150 C
Marke: WeEn Semiconductors
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 10
DC Stromverstärkung hFE max.: 32
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: 934055159127
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
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8541290065
JPHTS:
8541290100
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EAR99

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