Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SIC660CD-T1-GE3

Name: Vishay SIC660CD-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIC660CD-T1-GE3
Price: 3.85 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIC660CD-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIC660CD-T1-GE3

Herst.:

Vishay

Beschreibung:

Gate-Treiber 60A POWER STAGE

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay SIC660CD-T1-GE3

Auf Lager: 19 017

Lagerbestand:: 19 017 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 7 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.85	CHF 3.85
	CHF 2.56	CHF 25.60
	CHF 2.36	CHF 59.00
	CHF 2.05	CHF 205.00
	CHF 1.95	CHF 487.50
	CHF 1.75	CHF 875.00
	CHF 1.65	CHF 1 650.00
	CHF 1.41	CHF 4 230.00
	CHF 1.36	CHF 8 160.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Driver ICs - Various
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MLP55-31L
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	60 A
Versorgungsspannung - Min.:	2.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	16 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	SIC
Marke:	Vishay
Eingangsspannung – Max:	16 V
Eingangsspannung – Min:	2.5 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	SiC
Handelsname:	PowerPAK

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

PCN

Product Change Notification 2023-01-25 (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

SiC660 60 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC660 60 A VRPower® von Vishay Semiconductors ist eine integrierte Hochfrequenz-Leistungsstufe, die für synchrone Abwärtswandleranwendungen ausgelegt ist. Die SiC660 von Vishay Semiconductors bietet hohe Stromstärke, einen hohen Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte mit minimalem Abschaltstrom. Sie ist im kompakten 5 mm x 5 mm MLP-Gehäuse von Vishay untergebracht und unterstützt Spannungsregler, die bis zu 60 A Dauerstrom pro Phase liefern. Ihre internen Leistungs-MOSFETs, die auf der fortschrittlichen TrenchFET^® -Technologie von Vishay basieren, reduzieren Schalt- und Leitungsverluste und bieten so eine branchenführende Leistung.

Optisch isolierte MOSFET-Treiber

Optisch isolierte MOSFET-Treiber von Vishay bieten die Spannung, die für die Ansteuerung des Gates eines Niederspannungs-MOSFET erforderlich ist. Die Gate-Spannung wird von Photovoltaik-Zellen erzeugt und auf der Ausgangsseite ist keine Stromversorgung erforderlich. Dies vereinfacht Designs bei der Verwendung von Niederspannungs-MOSFETS. Der Einkanal-VOM1271T bietet eine Ausgangsspannung von 8,4 V mit einem Eingangsdurchlassstrom von nur 10 mA. Der Zweikanal-VO1263AACTR bietet eine Ausgangsspannung von 14,5 V.