VS-C20ET07T-M3

Vishay Semiconductors
78-VS-C20ET07T-M3
VS-C20ET07T-M3

Herst.:

Beschreibung:
Pin-Dioden Si CARBIDE DIODE

ECAD Model:
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CHF 6.63 CHF 6.63
CHF 4.83 CHF 48.30
CHF 4.02 CHF 402.00
CHF 3.59 CHF 1 795.00
CHF 3.19 CHF 3 190.00
CHF 3.18 CHF 6 360.00
10 000 Kostenvoranschlag

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Vishay
Produktkategorie: Pin-Dioden
RoHS:  
REACH - SVHC:
650 V
105 pF
20 A
1.7 V
- 55 C
+ 175 C
Through Hole
TO-220AC-2
Tube
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Ir - Sperrstrom: 100 uA
Pd - Verlustleistung: 119 W
Produkt-Typ: PIN Diodes
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Technologie: SiC
Typ: PIN Schottky Diode
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

Zusammengefügte 650 V-Leistungs-SiC-PIN-Schottky-Dioden

Die zusammengefügten 650 V Leistungs-SiC-PIN-Schottky-Dioden von Vishay Semiconductors sind für eine hohe Leistungsfähigkeit ausgelegt und der MPS-Aufbau der Dioden bietet eine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber Durchlassstromstößen. Diese Dioden sind die optimale Wahl für hartes Hochgeschwindigkeits-Schalten und einen effizienten Betrieb über einen großen Temperaturbereich. Die VS-Cx Schottky-Dioden verfügen über praktisch kein Recovery-Ende und keine Schaltverluste, weisen aber ein temperaturinvariantes Schaltverhalten auf. Diese Dioden sind in verschiedenen Nennströmen erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören AC/DC-Blindleistungskompensation (PFC) und DC/DC-Ausgangsgleichrichtung mit extrem hoher Frequenz in FBPS- und LLC-Wandlern.