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XPJR6604PB,LXHQ

Name: Toshiba XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPJR6604PBLXHQ
Price: 2 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-XPJR6604PBLXHQ

Herst.- Nr.:

XPJR6604PB,LXHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

Datenblatt:

XPJR6604PB,LXHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.00	CHF 2.00
	CHF 1.23	CHF 12.30
	CHF 1.12	CHF 112.00
	CHF 1.11	CHF 555.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.98	CHF 1 470.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	530 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	128 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	54 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	42 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	152 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	73 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

Die Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q101 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Drainstrombelastbarkeit und eine hohe Dissipation. Dies wird durch die Kombination von hoch-wärmeleitfähigen Gehäusen [L-TOGL (Large-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen) und S-TOGL (Small-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen)] mit den Chipprozessen U-MOS IX-H und U-MOS XH erreicht. Die L-TOGL- und S-TOGL-MOSFETs von Toshiba bieten außerdem Hochstromfähigkeit und sind für die Leitfähigkeit von hohen Temperaturen ausgelegt, um die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Fahrzeuganwendungen zu verbessern. Das L-TOGL-Gehäuse ist in seiner Größe mit dem vorhandenen TO-220SM(W)-Gehäuse vergleichbar. Allerdings verbessert XPQR3004PB den Nennstrom erheblich und senkt den Einschaltwiderstand auf 0,23 mΩ (typisch). Der optimierte Footprint der L-TOGLs trägt auch dazu bei, die thermischen Eigenschaften im Vergleich zum TO-220SM(W)-Gehäuse in gleicher Größe zu verbessern.

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.