TPH1R306P1,L1Q

Toshiba
757-TPH1R306P1L1Q
TPH1R306P1,L1Q

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 2.22 CHF 2.22
CHF 1.63 CHF 16.30
CHF 1.17 CHF 117.00
CHF 0.999 CHF 499.50
CHF 0.923 CHF 923.00
CHF 0.875 CHF 2 187.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
CHF 0.846 CHF 4 230.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
91 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
U-MOSIX-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 22 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 92 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 20 ns
Gewicht pro Stück: 83 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.