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TK9R6E15Q5,S1X

Name: Toshiba TK9R6E15Q5,S1X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK9R6E15Q5S1X
Price: 3.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK9R6E15Q5S1X

Herst.- Nr.:

TK9R6E15Q5,S1X

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TK9R6E15Q5,S1X Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	52 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	48 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	74 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	76 ns

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Datenblatt

TK9R6E15Q5,S1X Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

Die TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs von Toshiba sind in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen erhältlich und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale. Diese MOSFETs haben schnelle Sperrverzögerungszeiten, die den Wirkungsgrad in Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen verbessern, indem sie die Verzögerung zwischen dem Aus- und dem Einschaltzustand reduzieren. Der niedrige Drain-Source-Einschaltwiderstand [R_DS(on)] trägt zu minimalen Leistungsverlusten und einem verbesserten Wärmemanagement bei und macht diese MOSFETs ideal für Applikationen, die eine hohe Strombelastbarkeit mit niedriger Energiedissipation erfordern.