TK9J90E,S1E

Toshiba
757-TK9J90ES1E
TK9J90E,S1E

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P
N-Channel
1 Channel
900 V
9 A
1.3 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MOSVIII
Tray
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 35 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 40 ns
Serie: TK9J90E
Verpackung ab Werk: 25
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 140 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 80 ns
Gewicht pro Stück: 1.600 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.