TK9J90E,S1E
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Siehe Produktspezifikationen
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757-TK9J90ES1E
TK9J90E,S1E
Herst.:
Beschreibung:
MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
Datenblatt:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| 3.15 CHF | 3.15 CHF | |
| 1.79 CHF | 17.90 CHF | |
| 1.46 CHF | 146.00 CHF | |
| 1.27 CHF | 635.00 CHF |
Datenblatt
Application Notes
- Glossary of Photocoupler and Photorelay Terms
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Safety Standards for Photocouplers
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
- Triac Couplers - Basic Operations and Application Design
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
