TK8A60W5,S5VX

Toshiba
757-TK8A60W5S5VX
TK8A60W5,S5VX

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Power MOSFET N-Channel

ECAD Model:
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
440 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 40 ns
Serie: TK8A60W5
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 60 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.