TK6R7P06PL,RQ
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Siehe Produktspezifikationen
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757-TK6R7P06PLRQ
TK6R7P06PL,RQ
Herst.:
Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
MOSFETs N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
Datenblatt:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 1.37 | CHF 1.37 | |
| CHF 0.883 | CHF 8.83 | |
| CHF 0.593 | CHF 59.30 | |
| CHF 0.469 | CHF 234.50 | |
| CHF 0.429 | CHF 429.00 | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500) | ||
| CHF 0.373 | CHF 932.50 | |
| CHF 0.364 | CHF 1 820.00 | |
| CHF 0.363 | CHF 3 630.00 | |
| CHF 0.36 | CHF 9 000.00 | |
Datenblatt
Application Notes
- Application Note
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- SiC Schottky Barrier Diodes
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
