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TK31V60X,LQ

Name: Toshiba TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK31V60XLQ
Price: 5.29 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK31V60XLQ

Herst.- Nr.:

TK31V60X,LQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

Datenblatt:

TK31V60X,LQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 3.57	CHF 35.70
	CHF 2.96	CHF 296.00
	CHF 2.95	CHF 1 475.00
	CHF 2.68	CHF 2 680.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 2.52	CHF 6 300.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN8x8-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	78 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	240 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DTMOSIV-H
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Triple
Abfallzeit:	6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	22 ns
Serie:	TK31V60X
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	55 ns
Gewicht pro Stück:	175 mg

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TK31V60X,LQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

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Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV-H MOSFETs

Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs are suited to applications that require high reliability, power efficiency, and a compact design, such as high-efficiency switching power supplies for servers and telecom base stations and as power conditioners for photovoltaic inverters. Toshiba DTMOSIV-H MOSFETs achieve a high-speed switching performance while keeping the low ON-resistance level of conventional DTMOSIV and without loss of power. This is accomplished by reducing parasitic capacitance between gate and drain, which also contributes to improved power efficiency and downsizing of products.