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TK16G60W5,RVQ

Name: Toshiba TK16G60W5,RVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK16G60W5RVQ
Price: 3.35 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK16G60W5RVQ

Herst.- Nr.:

TK16G60W5,RVQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

Datenblatt:

TK16G60W5,RVQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.35	CHF 3.35
	CHF 2.22	CHF 22.20
	CHF 1.78	CHF 178.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.51	CHF 1 510.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	230 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	130 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DTMOSIV
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	TK16G60W
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	75 ns
Gewicht pro Stück:	1.590 g

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Datenblatt

TK16G60W5,RVQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs (DTMOSIV) zeichnen sich durch das Chip-Design der DTMOSIV- Generation aus und sind in verschiedenen Ausführungen verfügbar. Die Si-n-Kanal-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand und eine schnelle Sperrverzögerungszeit. Diese MOSFETs können die Gate-Schaltung einfach steuern. Die TK16x60W MOSFETs sind in verschiedenen Abmessungen verfügbar und in verschiedenen DFN8x8-, TO-247-, TO-3P(N)-, D2PAK-, TO-220- und TO-220SIS-Gehäusen untergebracht. Diese TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs werden in Schaltspannungsreglern verwendet.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.