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TK13P25D,RQ

Name: Toshiba TK13P25D,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK13P25DRQ
Price: 1.06 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK13P25DRQ

Herst.- Nr.:

TK13P25D,RQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

Datenblatt:

TK13P25D,RQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.06	CHF 1.06
	CHF 0.729	CHF 7.29
	CHF 0.568	CHF 56.80
	CHF 0.448	CHF 224.00
	CHF 0.406	CHF 406.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 0.365	CHF 730.00
	CHF 0.342	CHF 1 368.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	250 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	250 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MOSVII
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	TK13P25D
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	130 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	55 ns
Gewicht pro Stück:	360 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.