TK10E60W,S1VX

Toshiba
757-TK10E60WS1VX
TK10E60W,S1VX

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

ECAD Model:
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
380 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 22 ns
Serie: TK10E60W
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 45 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.