TK10E60W,S1VX
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Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 3.71 | CHF 3.71 | |
| CHF 1.91 | CHF 19.10 | |
| CHF 1.71 | CHF 171.00 | |
| CHF 1.45 | CHF 725.00 | |
| CHF 1.44 | CHF 1 440.00 |
Datenblatt
Application Notes
- How to Level Shift Using One Gate Logic
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Schweiz
