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TK100L60W,VQ

Name: Toshiba TK100L60W,VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100L60WVQ
Price: 24.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK100L60WVQ

Herst.- Nr.:

TK100L60W,VQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Datenblatt:

TK100L60W,VQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3PL-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.7 V
Qg - Gate-Ladung:	360 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	797 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	DTMOSIV
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	125 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	130 ns
Serie:	TK100L60
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	690 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	230 ns
Gewicht pro Stück:	7 g

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Test/Quality Data

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.