TK100A10N1,S4X
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Siehe Produktspezifikationen
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757-TK100A10N1S4X
TK100A10N1,S4X
Herst.:
Beschreibung:
MOSFETs MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
MOSFETs MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Datenblatt:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 4.54 | CHF 4.54 | |
| CHF 2.40 | CHF 24.00 | |
| CHF 2.23 | CHF 223.00 | |
| CHF 1.87 | CHF 935.00 |
Datenblatt
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
