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SSM3K16FS,LF

Name: Toshiba SSM3K16FS,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K16FSLF
Price: 0.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM3K16FSLF

Herst.- Nr.:

SSM3K16FS,LF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

Datenblatt:

SSM3K16FS,LF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	0.105 CHF	1.05 CHF
	0.065 CHF	6.50 CHF
	0.048 CHF	24.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.034 CHF	102.00 CHF
	0.03 CHF	180.00 CHF
	0.026 CHF	234.00 CHF
	0.024 CHF	576.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-416-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	100 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MOSVI
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SSM3K16FS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	125 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	70 ns
Gewicht pro Stück:	2,400 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Datenblatt

SSM3K16FS,LF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.