SSM14N956L,EFF

Toshiba
757-SSM14N956LEFF
SSM14N956L,EFF

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 12V Common Drain MOSFET Rss(on): 1.1mOhm

ECAD Model:
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
2 Channel
1.35 mOhms
- 8 V, 8 V
76 nC
+ 150 C
1.33 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Toshiba
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 2.1 us
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 1.3 us
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 3.8 us
Typische Einschaltverzögerungszeit: 1 us
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SSM14N956L MOSFET

Der MOSFET SSM14N956L von Toshiba verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-Einschaltwiderstand und ist RoHS-kompatibel. Der SSM14N956L MOSFET ist halogenfrei. Dieser MOSFET liefert 2,44 W unter Maßgabe (t ≤ 10 s) und wird bei einer Kanaltemperatur von 150 °C und einem Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben. Der RSS (ON) = 1,1 mΩ (typisch) (@VGS = 3,8 V) und RSS (ON) = 1 mΩ (typisch) (@VGS = 4,5 V) sind der niedrige Source-to-Source-On-Widerstand. Dieser SSM14N956L-MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Batterieschutzschaltungen.