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UCC27511AQDBVRQ1

Name: Texas Instruments UCC27511AQDBVRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27511AQDBVRQ1
Price: 0.93 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC27511AQDBVRQ1

Herst.- Nr.:

UCC27511AQDBVRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber Sngl-Ch high-Spd Low -Side Gate Driver

Datenblatt:

UCC27511AQDBVRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.931 CHF	0.93 CHF
	0.672 CHF	6.72 CHF
	0.607 CHF	15.18 CHF
	0.536 CHF	53.60 CHF
	0.502 CHF	125.50 CHF
	0.481 CHF	240.50 CHF
	0.471 CHF	471.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.444 CHF	1 332.00 CHF
	0.433 CHF	2 598.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-6
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	8 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	8 ns
Abfallzeit:	7 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	UCC27511A
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Kenndaten und Eigenschaften:	Split Output
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	23 ns
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	36 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

UCC27511AQDBVRQ1 Datenblatt

Images

Mechanical Outline Drawing

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

UCC27511 High-Speed, Low-Side Gate Driver

Texas Instruments UCC27511 high-speed, low-side gate driver is capable of effectively driving MOSFET and IGBT power switches. TI UCC27511 uses a design that inherently minimizes shoot-through current, making it capable of sourcing and sinking high, peak-current pulses into capacitive loads that offer rail-to-rail drive capability and extremely small propagation delay (typically 13ns). UCC27511 provides 4A source, 8A sink (asymmetrical drive) peak-drive current capability. Strong sink capability in asymmetrical drive boosts against parasitic, Miller turn-on effect. This TI high-speed, low-side gate driver operates over a wide V_DD range of 4.5V to 18V and a wide temperature range of -40°C to 140°C. It is ideal for use in switch-mode power supplies, DC-to-DC converters, and more.

UCC27511A Low-Side-Gatetreiber mit hohen Geschwindigkeiten

Der Texas Instruments UCC27511A Low-Side-Gatetreiber mit hohen Geschwindigkeiten ist ein kompakter Gatetreiber, der einen hervorragenden Ersatz für diskrete NPN- und PNP-Treiberlösungen (Pufferschaltung) bietet. Der UCC27511A ist für MOSFETs, IGBTs und aufkommende Leistungsgeräte mit großen Bandlücken, wie z. B. GaN eingestuft. Das Bauteil verfügt über Anstiegs- und Abfallzeiten sowie Laufzeitverzögerungen, wodurch sich das UCC27511A hervorragend für Hochgeschwindigkeits-Applikationen eignet. Seine asymmetrischen 4A-Spitzenquell- und 8A-Spitzensenkströme erhöhen die Störfestigkeit gegen den parasitären Miller-Einschalteffekt. Die Split-Ausgangskonfiguration ermöglicht eine einfache und unabhängige Einstellung der Anstiegs- und Abfallzeiten mit nur zwei Widerständen, wodurch sich die Notwendigkeit einer externen Diode erübrigt. Zu den Merkmalen gehören eine große Eingangshysterese und eine Überspannungsfestigkeit, die durch eine negative Eingangsspannungsverarbeitung verstärkt wird.