UCC21750DW

595-UCC21750DW
UCC21750DW

Herst.:

Beschreibung:
Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5.7kVrms +/-10A sin gle-channel isolated A 595-UCC21750DWR

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 3.68
Min:
1

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Texas Instruments
Produktkategorie: Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:  
UCC21750
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
985 mW
130 ns
33 ns
27 ns
Tube
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Inverting, Non-Inverting
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Anzahl der Treiber: 1 Driver
Anzahl der Ausgänge: 1 Output
Ausgangsstrom: 10 A
Ausgangsspannung: 33 V
Produkt: Isolated Gate Drivers
Produkt-Typ: Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 40
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 33 V
Versorgungsspannung - Min.: 3 V
Technologie: SiC
Gewicht pro Stück: 754.500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

UCC21750/UCC21750-Q1 Einkanal-Gate-Treiber

Der Texas Instruments UCC21750/UCC21750-Q1 Einkanal-Gate-Treiber ist ein galvanisch getrennter Gate-Treiber, der für SiC-MOSFETs und IGBTs mit einer Betriebsspannung von bis zu 2.121 V DC mit erweiterten Schutzfunktionen ausgelegt ist. Er bietet eine erstklassige dynamische Leistung und Robustheit. Der UCC21750/UCC21750-Q1 verfügt über einen Quellen- und Senken-Spitzenstrom von bis zu ±10 A. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der SiO2 kapazitiven Isolationstechnologie isoliert und unterstützt eine Betriebsspannung von bis zu 1,5 kVRMS und eine Stoßstromfestigkeit von 12,8 kVP K. Er wird mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von mehr als 40 Jahren geliefert und bietet einen geringen Teil-zu-Teil-Versatz und eine Gleichtakt-Rauschimmunität (CMTI) von > 150 V/ns.